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在SiC MOSFET数据手册中，最大漏-源极电压VDSS定义了漏极和源极之间允许的最大电压，实际使用中，SiC MOSFET漏极电压VDS不能超过额定值，否则会引发失效风险。
好问题。 不过MOS器件原理与建模的书里其实都有答案。 1) 对长沟器件来说，进入饱和区后（Vds>Vsat），Ids不随Vds增加而增加，实践中Lg达到几个um时候就很明显看到这个现象， …
综合以上两点，当NMOS施加了反向电压，即Vds<0，会出现两种导通情况：1， Vgs 15 thg 6, 2018 · Vdsat=Vgs-Vth 是一个基于沟道夹断的近似模型，实际上并不是很准确，尤其是在短沟道器件、FINFET器件误差会较大。实际的Vdsat会比这个值更小。 沟道夹断模型认为 … 首先，MOS管在米勒平台阶段，输入VGS和输出电压VDS是一个负反馈系统 (输入VGS和输出电流ID是一个正反馈系统)； 其次，当VDS电压开始变小，MOS管进入米勒平台阶段，在这个电路 … 这是因为在实际的应用场景中，VDS是基本固定不变的，被操纵的一般是驱动电压VGS。 而且在作者的工作中，接触的都是工作在开关状态下的MOS，其导通压降很小，很难想象VDS逐步增大 … 好问题。 不过MOS器件原理与建模的书里其实都有答案。 1) 对长沟器件来说，进入饱和区后（Vds>Vsat），Ids不随Vds增加而增加，实践中Lg达到几个um时候就很明显看到这个现象， … 24 thg 2, 2005 · vdsは＃1の方が回答しているとおり、寝る前に飲むお薬を処方するときに書く記号です。 ですから×3vdsという書き方は見たことがありません。 NMOS的IV特性曲线 接下来的问题就是，在这些区域中MOS的跨导如何？ 3.2 平方律器件的跨导 不妨用观察法，我们会发现： 如果控制漏源电压不变：在饱和区内，Id与Vgs成平方关系，一 … 3 thg 10, 2005 · 医師の薬剤処方の中に「3×N (14)」とか「vds」、「MA」という表記をよく見かけるのですが、どういう意味を表わすのでしょうか？ Bài viết được đề xuất: